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一种MOS管的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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一种MOS管的制造方法.pdf

    本发明公开了一种MOS管的制造方法，包括步骤S1：在衬底的表面形成外延层；步骤S2：在外延层的表面依次形成沟槽、栅氧化层以及多晶硅层；步骤S3：淀积多晶硅层，去除沟槽之外的多晶硅层，在外延层的依次表面形成第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区设置在沟槽的外表面，第一掺杂区与栅氧化层的间隔距离等于第二掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；步骤S4：在第一掺杂区的表层形成第三掺杂区，第三掺杂区的深度小于所述第一掺杂区的深度，第三掺杂区的深度小于所述第二掺杂区的深度。本发明提

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284805 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110525828.9 (22)申请日 2021.05.14 (71)申请人 深圳市吉利通电子有限公司

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