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嵌埋式柵极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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嵌埋式柵极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法.pdf

    本发明涉及一种嵌埋式柵极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法，晶体管包括漏极外延层、位于顶层可割裂为源极金属垫与柵极金属垫的表面金属层以及位于漏极外延层中的嵌入式源极延伸倒鳍与柵极;柵极对准在源极延伸倒鳍上,柵极两侧各形成有成对由表面金属层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;利用嵌入式源极延伸倒鳍与柵极同槽不等区的设计,在台面区以外个别导通源极金属垫与柵极金属垫,避免了台面区需要设置接触孔。本发明提供的场效晶体管架构具有减小柵极沟槽间距以提高电子流密度的效果。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113284944 B (45)授权公告日 2022.03.18 (21)申请号 202110530881.8 H01L 29/06 (2006.01)

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