形成半导体结构的方法.pdfVIP

形成半导体结构的方法.pdf

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提供一种形成半导体结构的方法。方法包括沉积硬遮罩层于一基板上方。方法还包括沉积银前驱物层于硬遮罩层上方。方法还包括曝露银前驱物层的多个部分至辐射，辐射造成银前驱物层的照射部分中的银离子减少。方法还包括移除银前驱物层的多个非照射部分，产生多个银种结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314401 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110053051.0 H01L 21/8234 (2006.01) (22)申请日

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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