- 1、本文档共25页,其中可免费阅读24页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法,该LED芯片为反极性LED芯片,包括第一衬底和位于第一衬底表面的叠层结构,该叠层结构沿背离第一衬底的方向包括:欧姆接触层、发光层和介质层,发光层位于欧姆接触层背离第一衬底的表面上,发光层中与欧姆接触层接触的第一型半导体层包括沿背离第一衬底的方向依次排布的第一子层和第二子层,且第一子层的掺杂浓度大于第二子层的掺杂浓度,即第一子层为重掺杂层;欧姆接触层和第一子层组成的叠层具有凹槽,该凹槽贯穿欧姆接触层,并至少贯穿部分第一子层,以减少重掺杂的第一子层对光的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299808 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110757390.7 H01L 33/24 (2010.01)
文档评论(0)