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2023-06-20 发布于四川
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双向导通EDS二极管芯片及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种双向导通EDS二极管芯片及其制造方法，该芯片包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触。该方法包括：制作N型衬底，正面热氧化；光刻、扩散形成P区；正面形成新的绝缘材料层；光刻、蒸铝形成金属层；光刻金属层，形成金属接点；背面减薄。本发明构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个P

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314616 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110639385.6 (22)申请日 2021.06.08 (71)申请人中国振华集团永光电子有限公司

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