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采用沉淀灼烧法制备六方晶系羟基碳酸镧的方法.pdfVIP

采用沉淀灼烧法制备六方晶系羟基碳酸镧的方法.pdf

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    本发明公开了一种采用沉淀灼烧法制备六方晶系羟基碳酸镧的方法，在沉淀反应釜中配制氯化镧溶液作为底液，加入底液占比10～50％的碳酸镧作为晶种，升温并搅拌均匀；采用并流沉淀方式，向沉淀反应釜中加入料液和沉淀剂，沉淀反应后生成碳酸镧；料液选用氯化镧溶液，沉淀剂采用碳酸氢铵溶液或碳酸氢铵和氨水的混合溶液；取出沉淀反应釜中的沉淀物碳酸镧，将碳酸镧进行灼烧，灼烧温度420～450℃，得到六方晶系的羟基碳酸镧。本发明中，沉淀过程所用的原料为萃取分离工艺得到的氯化镧溶液，可直接进行沉淀制备羟基碳酸镧的前驱体，避

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113321233 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110516943.X C01F 17/10 (2020.01) (22)申请日 2

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