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本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器,所述制作方法包括:提供基底;其中,所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的栅极叠层结构;所述栅极叠层结构包括平行于所述衬底的栅极层;所述基底还包括位于第一区域内沿垂直于所述衬底的方向延伸的存储串;形成覆盖所述栅极叠层结构的介质层;在所述介质层中对准所述存储串的位置,形成暴露所述存储串的第一接触孔;在所述介质层中形成暴露所述栅极层的第二接触孔;在形成所述第一接触孔之后,在所述栅极叠层结构周围的所述介质层中形成隔离槽。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113327927 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110519083.5 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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