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本发明提供了一种避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，包括：提供一包括存储区和外围区的衬底，在所述存储区形成至少两个栅极结构；形成侧墙于所述存储区的栅极结构的侧壁上；形成第一层间介质于所述衬底上，所述第一层间介质填充进所述存储区的栅极结构之间，其中，所述存储区的栅极结构之间填充的所述第一层间介质中存在缝隙；蚀刻去除部分所述第一层间介质，仅保留所述存储区的所述栅极结构之间的下部的所述第一层间介质；形成第二层间介质于所述衬底上，所述第二层间介质填充进所述存储区的所述栅极结构之间。本发明的技术方案使得
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113327886 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110591245.6
(22)申请日 2021.05.28
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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