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一种提高颅内压传感器检测响应时间的方法及颅内压传感器.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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一种提高颅内压传感器检测响应时间的方法及颅内压传感器.pdf

    本发明属于颅内压监测技术领域，具体涉及一种提高颅内压传感器检测响应时间的方法及颅内压传感器；其中，提高颅内压传感器检测响应时间的方法，包括：利用混合溶剂对颅内压传感器中包裹探头的硅胶层进行表面改性；其中，混合溶剂包括硅胶的良溶剂和不良溶剂的组合，且硅胶的良溶剂与不良溶剂互溶。本发明的提高颅内压传感器检测响应时间的方法改良得到的颅内压传感器进行颅内压监测试验，信号首次返回时间由0.5s提升至0.1s之内，有效提升颅内压传感器检测响应时间；归因于混合溶剂对硅胶的表面改性破坏了硅胶表面分子结构，修复硅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113321833 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202110678216.3 A61B 5/03 (2006.01)

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