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一种单片集成边发射激光器及制备方法，其单片集成边发射激光器包括：衬底；多层结构，为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构，每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层，每层所述半导体材料层的厚度不小于λ/5n，其中，λ为所述单片集成边发射激光器的工作波长，n为每层所述半导体材料层的折射率；第二高折射率材料层，形成于所述多层结构中最后生长的低折射率材料层上，所述第二高折射率材料层的折射率高于第一高折射率材料层和低折射率材料层；有源层，位于所述第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113381294 B
(45)授权公告日 2022.05.27
(21)申请号 202110639802.7 H01S 5/34 (2006.01)
(22)申请日 2021.06.
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