材料制备原理与技术-教学大纲.docxVIP

1 《材料制备原理与技术》教学大纲 《材料制备原理与技术》是争论无机非金属材料的合成与制备、组成与构造、性能、使用效能之间的关系与规律的科学。本课程由陶瓷工艺原理、晶体生长技术和气相沉积技术三 局部组成。 第一局部 陶瓷工艺原理第一章 晶体构造以及晶体构造缺陷 化学键的种类，和电负性的关系；14 种布拉菲点阵，晶向指数，晶面指数，密堆方式， 四周体间隙和八面体间隙，根本AB 构造，钙钛矿构造，硅酸盐晶体构造类型。 点缺陷的种类和表示方法，Schottky 缺陷，Frenkel 缺陷，定比化合物，非定比化合物， 布氏矢量，位错的种类，晶界。 其次章 熔融态和玻璃态 把握熔体的构造与性质，特别是性质局部。 玻璃性质，玻璃构造，并了解其内在规律性。重点为玻璃构造，特别是玻璃构造学说， 玻璃通性及晶体性质的区分。 晶体、非晶体和玻璃，玻璃转变温度，晶子模型，不规章网络模型，网络形成体，网络转变体，网络中间体。 第三章 相平衡〔相图〕 热力学根本定律，自由能、成份和相平衡，单元相图，二元相图根本类型，三元相图的杠杆定律、成份三角形、连线法则、切线法则等根本规章和原理。 要求会应用、分析、计算相图。第四章 集中 集中定律和简洁解，离子型晶体的主要集中机理，集中系数，集中系数和温度的关系。要求把握集中方程，集中机理和集中系数，无机固体材料中的集中，了解影响集中的因 素如温度，杂质等等，固体中集中，影响集中的因素。第五章 固相反响 固相反响分类，固相反响热力学，杨德尔方程，金斯特林格方程，温度、颗粒度、矿化剂、压力对固相反响的影响。 综合把握固相反响的类型及反响原理，固相反响的动力学方程，影响的固相反响因素。第六章 烧结 烧结的定义，烧结过程的推动力，固相烧结传质机理，烧结应力模型，晶粒生长与二次 再结晶，影响烧结的因素，常见烧结方法。 把握液相、固相烧结原理，影响烧结的因素。重点为液、固相烧结机理、模型，影响烧结的因素。 其次局部 晶体生长技术第一讲：导论及晶体生长热力学 其次讲：晶体生长动力学 晶体生长界面微观构造，晶体生长界面原子的沉积方式，晶体生长速率，晶体的平衡形貌，实际晶体生长形态的影响因素。 第三讲：熔体生长 籽晶提拉法〔Czochralski 法〕，坩埚下降法〔Bridgman 法〕，泡生法，焰熔法，区域熔融法〔区熔法〕。 第四讲：溶液生长 溶液的性质，溶液生长驱动力，生长速度，溶液生长方法，溶剂的选择，对流效应。第五讲：气相生长 气相生长概念与原理，气相生长的主要方法，掌握参数，气相生长的界面原子过程。第六讲：II-VI 族化合物单晶生长原理与技术 第三局部 气相沉积技术 第一讲：蒸发技术 物质的热蒸发，蒸发源〔电阻蒸发源，电子束蒸发源，电弧加热蒸发源，激光加热蒸发源〕，分子束外延技术〔MBE〕。 其次讲：溅射技术 辉光放电与等离子体，溅射现象，溅射方法〔直流溅射，射频溅射，反响溅射，磁控溅射〕。 第三讲：离子镀 气体放电等离子体离子镀，空心阴极放电离子镀〔HCD，Hollow Cathode Deposition〕。第四讲：化学气相沉积〔CVD〕 CVD 的一般原理，CVD 根本技术〔开管气流法，封管法〕，低压 CVD，等离子体增加 CVD〔PCVD〕，CVD 的进展。 主要参考书目 第一局部 陶瓷工艺原理 1、樊先平，无机非金属材料科学根底，浙江大学出版社 2、周玉，陶瓷材料学〔第一版〕，哈尔滨工业大学出版社 3、周玉，陶瓷材料学〔其次版〕，科学出版社 4、陆佩文，无机材料科学根底〔硅酸盐物理化学〕重排本，武汉理工大学出版社 5、陆佩文，硅酸盐物理化学，东南大学出版社 6、叶瑞伦，无机材料物理化学，北京：中国建筑工业出版社，1984。 7、浙江大学，武汉建材学院，上海化工学院，华南工学院，硅酸盐物理化学，北京：中国建筑工业出版社，1980 8、南京化工学院，陶瓷物理化学，北京：中国建筑工业出版社，1981 其次局部 晶体生长技术 1、闵乃本，晶体生长的物理根底，上海：上海科学技术出版社，1982 2、张克从，晶体生长科学与技术，北京：科学出版社，1997 3、朱世富，材料制备科学与技术，北京：高等教育出版社，2023 第三局部 气相沉积技术 1、 杨树人，外延生长技术，北京：国防工业出版社，1992