原创力文档- 11
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- 2023-06-21 发布于四川
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一种功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路，包括在功率MOSFET器件上增设第一、第二栅总线，将功率MOSFET的一部分元胞的栅极连接于第一栅总线，将功率MOSFET的另一部分元胞的栅极连接于第二栅总线，功率MOSFET的漏极和源极分别连接所有元胞结构的漏和源。外部输入信号控制第二栅总线连接的元胞的开启与关闭，由微控制器比较MOSFET的漏极和源极电压，控制连接于第一栅总线的元胞的开启与关闭：当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压高于预定电压时，开启第二栅总线连接的元胞并关闭第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380895 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110720060.0
(22)申请日 2021.06.28
(71)申请人 东南大学
地址 21
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