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一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构.pdfVIP

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  • 2023-06-21 发布于四川
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一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构.pdf

    一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中置阴极方案的霍尔推力器的阴极背景磁场强度影响发动机放电性能，导致降低了发动机的效率的问题，本申请采用中置励磁线圈的方式，改变中置阴极的背景磁场，以减少阴极发射的电子束跨越磁力线的阻力，从而降低耦合压降。本发申请所提出的磁路形成的中轴线磁场，可以通过调节中置线圈的励磁电流实现中轴线上最大磁场强度、阴极上端面处磁场强度、阴极上端面处磁场梯度的连续调节。其中阴极上端面处磁场强度在‑21％到21％范围内连续可调，阴极上端面处磁场梯

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113374662 B (45)授权公告日 2022.03.04 (21)申请号 202110733039.4 US 2017284380 A1,2017.10.05

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