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本发明公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管,涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层,所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层,钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层,左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属层,所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂GaAs层的上表面,不具有欧姆接触金属层的重掺杂GaAs层的上表面形成有低掺杂GaAs层,左侧的所述重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层与对应的右侧的重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层之间的距离从下到上逐渐减小,使
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113345953 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202110623108.6 H01L 29/872 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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