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一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管.pdfVIP

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  • 2023-06-21 发布于四川
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一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管.pdf

    本发明属于半导体器件的制造或处理技术领域，公开了一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管，在碳化硅衬底的Si面直接生长有半导体石墨烯作为缓冲层，半导体石墨烯为单层且均匀生长，晶畴宽度为50‑200μm，长度在毫米量级；制备方法为将两片6H型和/或4H型碳化硅晶片经机械化学抛光，超声清洗并吹干；其中一片涂敷光刻胶；两片碳化硅晶片放入石墨坩埚中采用“面对面”形式叠合摆放；先在真空环境中加热后在氩气气氛下分两次升温加热；所得半导体石墨烯做为沟道材料可制备场效应管。本发明可直接在绝缘性衬底生长单层半导体性

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113380606 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202110625943.3 (22)申请日 2021.06.04 (65)同一申请的已公布的文献号

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