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2023-06-21 发布于四川
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柔性光控忆阻器以及制备方法.pdf

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本发明涉及一种柔性光控忆阻器，其依次包括：柔性衬底、底电极、阻变层、以及顶电极，其特征在于，所述阻变层包括ABX3钙钛矿层和金属纳米颗粒层，其中A为CH3NH3，B为Pb、Sn、Ge中的至少之一，X是Cl、Br、I中的至少之一。本发明忆阻器的阻变活性材料为有机无机杂化钙钛矿‑金属纳米颗粒复合材料，通过引入金属纳米颗粒形成钙钛矿的保护层，可提高忆阻器的环境稳定性和热力学稳定性，可以在较低的电压下操作从而降低忆阻器的功耗，通过引入新的机制填补了基于钙钛矿的光控忆阻器的机制方面的问题，并且可以实现大规

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113346020 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110598188.4 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人清华大学地址

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