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本文公开了多栅极器件及其制造方法。示范性器件包括沟道层、第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件和金属栅极。沟道层具有第一水平段、第二水平段和连接第一水平段和第二水平段的垂直段。第一水平段和第二水平段沿着第一方向延伸，并且垂直段沿着第二方向延伸。垂直段具有沿着第一方向的宽度和沿着第二方向的厚度，并且厚度大于宽度。沟道层沿着第三方向在第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间延伸。金属栅极包裹沟道层。在一些实施例中，第一水平段和第二水平段是纳米片。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363326 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110572228.8 H01L 29/10 (2006.01)
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