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本申请公开了一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置,半导体芯片的裂片方法包括:使用第一激光沿着玻璃基板的预设切割区移动,并对玻璃基板的预设切割区进行切割,以在玻璃基板上的预设切割区处形成多个孔洞;使用第二激光沿着玻璃基板的预设切割区移动,并对玻璃基板的预设切割区进行加热处理,以形成多个预定尺寸的芯片颗粒。本申请中,对半导体芯片进行裂片时,预先使用第一激光对玻璃基板进行处理,以在玻璃基板上的预设切割区形成沿预设路径排布的孔洞,随后使用第二激光对玻璃基板进行加热处理,由于预设切割区处的孔洞大大减少了各芯
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113371989 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110581531.4
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 苏州镭明激光科技有限公司
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