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- 2023-06-21 发布于四川
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本申请公开了一种逻辑电路的设计方法、装置及存储介质，方法包括：设计并生成初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路；所述MOSFET‑TFET混合逻辑电路包括若干逻辑门；在所述初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路的串联支路中，用MOSFET替换第一类TFET；所述第一类TFET直接接地或电源且不与所述逻辑门的输出端直接连接。本申请的逻辑电路的设计方法，通过用MOSFET替换初始逻辑电路的串联支路中的第一类TFET，克服了TFET在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，第一类TFET即直接接地或电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111130529 A
(43)申请公布日
2020.05.08
(21)申请号 20191
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