双极型晶体管的频率特性白底.pptVIP

交变信号作用下 晶体管各部分电容充放电使载流子运动产生延迟； 充放电电流的分流作用使输出电流幅值下降，电流放大系数下降 发射结势垒电容充放电引起发射效率下降和注入基区的电流延迟 发射结扩散电容充放电使基区输运系数下降和基区渡越延迟 集电结势垒电容因交变电流改变其中电荷量及 串联电阻上压降改变其两端电压而分别产生集电结势垒渡越延迟和集电极延迟 * 第六十一页，共九十一页，2022年，8月28日 * 第六十二页，共九十一页，2022年，8月28日 发射效率及 发射结延迟时间 基区输运系数 及基区渡越时间 集电结势垒输运系数 及渡越时间 集电区倍增(衰减)因子 与集电极延迟时间 * 第六十三页，共九十一页，2022年，8月28日 § 3.5 晶体管电流放大系数与频率的关系 一、共基极运用 其中 * 第六十四页，共九十一页，2022年，8月28日 二、共发射极运用 （一）β随频率的变化 α是c、b短路 β是c、e短路 * 第六十五页，共九十一页，2022年，8月28日 3、共基极本征正向转移导纳Ycei 输出端交流短路时，输入端交流电压对输出端交流电流的影响 说明：正向转移导纳可看作将输入导纳转移到 （被?放大了的）输出端的等效导纳，或 者说，是输出端输出的，被放大了的输 入导纳 即：由输入电压ue→输入电流Ie→输出电流Ic * 第二十九页，共九十一页，2022年，8月28日 4、共基极本征反向转移导纳Yeci 输入端交流短路时，输出端交流电压对输入端电流的影响 * 第三十页，共九十一页，2022年，8月28日 无量纲，称为电压反馈系数 当保持发射极交流开路时，即Ie=0，IE不变，集电极电压变化对发射极电压的影响 也称反向电压放大系数 发射极交流开路，意味着发射极电流维持直流偏置电流不变（恒流），当Vc→△Vc时，Wb产生△Wb的变化，引起基区少子分布变化，为了使IE不变(Ie=0)，应有△VE使nE变化△nE n(x) nE nb(x) x n(x) * 第三十一页，共九十一页，2022年，8月28日 * 第三十二页，共九十一页，2022年，8月28日 * 第三十三页，共九十一页，2022年，8月28日 二、晶体管高频h参数及其等效电路 * 第三十四页，共九十一页，2022年，8月28日 二、晶体管高频h参数及其等效电路 1、共基极h参数及其等效电路 输入端电压为两部分电压串联 输入电流在输入阻抗上的压降 输出电压对输入回路的反作用（电压源） 输出电流为两部分电流并联 被放大的输入电流（电流源） 输出电压在输出阻抗上产生的电流 ~ + - + - ie hrbuc ic hib hfbIc hob b e c * 第三十五页，共九十一页，2022年，8月28日 h参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，因而其间可以互相转换 低频时可忽略电容效应 高频时可忽略基区宽变效应 * 第三十六页，共九十一页，2022年，8月28日 低频时可忽略电容效应 高频时可忽略基区宽变效应 * 第三十七页，共九十一页，2022年，8月28日 h11和h12的意义 h21和h22的意义 2、共发射极h参数及其等效电路 h参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。 h参数与工作点有关，在放大区基本不变。 h参数都是微变参数，所以只适合对交流小信号的分析 * 第三十八页，共九十一页，2022年，8月28日 * 第三十九页，共九十一页，2022年，8月28日 * 第四十页，共九十一页，2022年，8月28日 目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系） 方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数） 实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用） § 3.4 高频下晶体管中载流子的输运过程 发射结发射 基区输运 集电结收集 集电极输出 * 第四十一页，共九十一页，2022年，8月28日 一、发射效率及发射结延迟时间 对CTe进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致γ降低 * 第四十二页，共九十一页，2022年，8月28日 因re、CTe并联，具有等电压关系 发射极截止角频率 发射结 延迟时间 CTe的作用：1、对 Ie的分流作用使发射效率幅 值随频率升高而下降 2、RC延迟作用使注入电流滞后于 输入电流一个相位角 * 第四十三页，共九十一页，2022年，8月28日 二、基区输运系数及基区渡越时间 基区输运系数随信号频率升高而减小： 实质是高频信