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- 2023-06-22 发布于四川
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本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；多个存储区，多个所述存储区在衬底上阵列排布，用于形成存储器件；多个切割道，每个所述切割道位于相邻两个所述存储区之间；对准标记，位于所述切割道中，形成于所述衬底上，靠近两个所述存储区的中心位置；光刻胶，位于所述存储区和所述切割道上方，覆盖所述对准标记。将对准标记设置在靠近相邻两个存储区中间的位置，位于该位置上方的光刻胶较为平整，从而使得穿过光刻胶测得的对准标记的测量信号的强度较高，套刻精度提升，测量误差小，晶圆合格率高，成本降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113391529 B
(45)授权公告日 2022.07.26
(21)申请号 202110665583.X H01L 23/544 (2006.01)
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