半导体存储器件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约3.54万字
约 40页
2023-06-22 发布于四川
举报
版权申诉

半导体存储器件及其制造方法.pdf

1、本文档共40页，其中可免费阅读39页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394227 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110198791.3 (22)申请日 2021.02.22 (30)优先权数据 10-2020-0