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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-22 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明的一种半导体器件及其制造方法，其通过在牺牲层和第一侧墙之间至少形成有阻挡层，如此则在刻蚀去除牺牲层时，阻挡层能够阻挡刻蚀液侵蚀第一侧墙，进而保证了第一侧墙不会内缩，从而在后续以第一侧墙为掩膜刻蚀控制栅层和浮栅层时，能够避免出现因第一侧墙被侵蚀而导致剩余的控制栅层的宽度变短，从而使控制栅层和浮栅层之间的耦合电容比较低的问题，从而提升半导体器件的整体性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394100 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110313011.5 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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