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- 2023-06-23 发布于四川
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本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管，包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；N型掺杂缓冲层，设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间。该超突变变容二极管P型重掺杂层和N型掺杂缓冲层的剖面呈插值状延伸入N型轻掺杂外延层内，使得在不增加反偏结电容的前提下，增大了器件的零偏结电容，从而显著增大器件的变容比。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488546 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202110747919.7 (56)对比文件
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