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提供半导体装置的制造方法,是鳍状堆叠结构的侧壁轮廓的矫正方法。范例方法包含在基底上形成第一鳍状结构和第二鳍状结构,第一鳍状结构和第二鳍状结构各包含交错的多个通道层和多个牺牲层;在第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积第一硅衬垫;在基底、第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积介电层;回蚀刻介电层,以在第一鳍状结构与第二鳍状结构之间形成隔离部件,以及移除了在第一鳍状结构和第二鳍状结构上的第一硅衬垫,以暴露出多个通道层和多个牺牲层的侧壁;以及在多个通道层和多个牺牲层暴露的侧壁上外延沉积第二硅衬垫。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451136 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110334754.0
(22)申请日 2021.03.29
(30)优先权数据
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