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本发明提供了一种MCU半导体器件的形成方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在闪存区的栅氧化层上形成闪存结构；形成第一多晶硅层；在逻辑区的第一多晶硅层上形成缓冲层；在缓冲层上和第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；研磨多晶硅层使得剩余的多晶硅层表面平整；去除缓冲层；部分刻蚀逻辑区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，逻辑区的剩余的多晶硅层形成逻辑栅，部分刻蚀闪存区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，闪存区的剩余的多晶硅层形成字线多晶硅。本发明降低了多晶硅层在闪存区和逻辑区的高度，在研磨多晶硅层时，不会由于高度差
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113506806 B
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202111066008.4 H01L 27/11531 (2017.01)
(22)申请
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