用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件.pdf

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本公开提供了用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比以处理所述工件；组分调节气体包含符合化学通式CxHyFz的一种或多种分子；碳与氟的体积比控制所述侧墙结构上形成的碳基聚合物的分布；使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物；其中，所述工艺气体包括蚀刻气体和所述组分调节气体；将所述工件暴露在所述混合物中，以在所述侧墙结构的至少部分区域

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113471049 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110734424.0 (51)Int.Cl.