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采用自组装单层对单重和双重镶嵌结构中的过孔的填充.pdfVIP

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  • 2023-06-24 发布于四川
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采用自组装单层对单重和双重镶嵌结构中的过孔的填充.pdf

    论述了与高高宽比互连相关的金属化互连结构、集成电路器件和方法。选择性地在露出下层金属化结构的开口的层间电介质侧壁上形成自组装单层。在下层金属化结构上并且仅在自组装单层的底部部分以内形成第一金属。去除所述自组装单层的露出部分并且在所述第一金属之上形成第二金属。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314118 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211473178.9 H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日 2022.11

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