使用增强的图案化技术制造半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-06-24 发布于四川
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使用增强的图案化技术制造半导体装置的方法.pdf

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提供了一种半导体装置制造方法，所述半导体装置制造方法包括形成其中具有第一区域和第二区域的基底，在第一区域和第二区域中有不同密度的有源区域。形成在第一区域中限定单元有源区域的单元沟槽，并且形成在第二区域中限定外围有源区域的外围沟槽。在单元沟槽和外围沟槽中形成第一绝缘层。选择性地形成掩模，掩模在第一区域中覆盖第一绝缘层并在第二区域中暴露第一绝缘层。使用选择性电介质上电介质沉积工艺，在第二区域中的被掩模暴露的第一绝缘层上形成第二绝缘层。通过去除掩模在第一区域中暴露第一绝缘层。在第一区域中的第一绝缘层上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313772 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211572497.5 (22)申请日 2022.12.08 (30)优先权数据 10-2021-0183437