石墨烯透明导电薄.pptVIP

第一页，共二十九页，2022年，8月28日 主要内容 1.透明导电薄膜概述 2.石墨烯及石墨烯透明导电薄膜性质 3.石墨烯透明导电薄膜的制备方法 4.应用展望 第二页，共二十九页，2022年，8月28日 透明导电薄膜（TCFs transparent conducting films）是指在可见光区（ ）有较高的透光率（Tavg大于80%），并且有优良的导电性，电阻率可以达到一下 的薄膜材料。 透明导电薄膜是许多光电子器件的重要组成部分，例如液晶显示器（LCD），有机太阳能电池，有机发光二极管（OLCD）等。 常用的透明导电薄膜包括金属膜、氧化物膜（主要是指铟锡氧化物（ITO））、有机高分子膜、复合膜等 1.1透明导电薄膜概念及应用 第三页，共二十九页，2022年，8月28日 1.2两种常用透明导电薄膜优缺点分析 金属膜具有良好的导电性，但其透光率较差。 铟锡氧化物（ITO）由于其高导电率和高透光率已经成为透明导电薄膜的主要材料之一。 然而使用过程中，ITO也存在一些缺点。包括： (1)铟的价格持续上涨，使得ITO成为日益昂贵的材料。 （2）ITO的质地较脆，使得其不能满足一些新应用 （例如可弯曲的LCD、有机太阳能电池）的性能要求。 （3）ITO的制备方法（例如喷镀、蒸发、脉冲激光沉积、电镀）费用高昂。 第四页，共二十九页，2022年，8月28日 2.1石墨烯的优良特性 自2004年第一次制备得到独立的单层石墨烯以来，吸引了众多科学家对石墨烯的研究，石墨烯已经成为材料及凝聚态物理领域一颗闪耀的新星。 石墨烯独特的二位晶体结构，赋予了它独特的性能，研究发现，石墨烯具有优良的机械性能，杨氏模量约1000GPa，同时由于其特殊的能带结构，石墨烯也表现出许多优良的的电学性质。 第五页，共二十九页，2022年，8月28日 2.2石墨烯优良的光电性质 一、优良的电学性质： 1、研究表明，石墨烯电子传导速率可达 ， 2、由于石墨烯特殊的能带结构可以使得电子与空穴相互分离，因而即使在室温条件下也能观察到量子霍尔效应。 3、石墨烯中电子传输的阻力也很小，可以移动亚微米的距离而不发生散射。研究表明，石墨烯薄层的内禀电子迁移率可以达到200000 。 比硅高100倍，比砷化镓高20倍。 第六页，共二十九页，2022年，8月28日 2.3石墨烯优良的光电性质 优良的透光率 1、理想单层石墨烯在白光的照射下不透明度只有(2.3 0.1)%，反射率是可以忽略不计的（ 0.1%）。 2、在十层的时候反射率上升为2.0%，不透光度随着薄膜的厚度的增加而增加，每层石墨烯增加2.3%的不透光度。 3、一般情况下要确保大范围波长领域的透明度，在游资的密度约地越好。不过，由于导电率与载流子迁移率和载流子密度的乘积成正比，因此如果载流子迁移率不是很高，那么较小的载流子密度也就意味这导电率较小，由于石墨烯的高载流子迁移率是得成为唯一对于包括远红外在内的所有红外线的高透明性导电材料，从而成为下一代透明导电薄膜理想的替代材料。 第七页，共二十九页，2022年，8月28日 2.4石墨烯透明导电薄膜的潜在优势 石墨烯透明导电薄膜是以石墨烯及其杂化材料替代铟锡氧化物（ITO）的透明薄膜。 虽然石墨烯透明导电薄膜还处在研究阶段，但是石墨烯在许多方面比ITO具有更多的潜在优势，例如质量、坚固性、柔韧性、化学稳定性、红外透光性和价格等、因此采用石墨烯制备透明导电薄膜是一项很有前景的工作。 第八页，共二十九页，2022年，8月28日 3石墨烯透明导电薄膜的制备方法 制备石墨烯透明导电薄膜的方法灵活多样，而且这些薄膜可以沉积到或转移到不同的基地上，如SiO2/Si、玻璃、石英、不饱和聚酯（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等。 发展到目前有化学气相沉积法（CVD）真空抽滤法、旋转涂覆法、喷射涂覆法、等。 目前化学气相沉积法( CVD) 被认为是一种最有前景 的制备几乎没有缺陷的石墨烯的方法之一，这种方法在 碳纳米管的制备上被广泛使用。这里主要介绍CVD制备方法。 第九页，共二十九页，2022年，8月28日 3.1 CVD法 目前化学气相沉积法(CVD)是一种最有前景的制备几乎没有什么缺陷的方法，这种方法在碳纳米管的制备上被广泛使用。 化学气相沉积法制备石墨烯薄膜一般是将单晶或多晶金属薄片或膜置于碳氢化合物气体中，加热催化碳氢化合物裂解，在基底表面沉积形