制造能够形成混合衬底结构的高电阻率硅处置晶片的方法.pdfVIP

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2023-06-24 发布于四川
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制造能够形成混合衬底结构的高电阻率硅处置晶片的方法.pdf

一种制造能够形成混合衬底结构(336)的高电阻率硅处置晶片(230)的方法(100)。所述方法包括产生具有晶体定向识别器(210)的所述晶片(212)，减薄所产生的晶片以获得减薄晶片(222)，在所述减薄晶片的前表面(221)上提供表面钝化层(229)，以及抛光所述钝化层以使得所述晶片的经抛光前表面(232)能够进行有源层接合以形成所述混合衬底结构。减薄步骤包括利用卡盘布置对所产生的包括晶体定向识别器的晶片(218)进行受控单侧固定磨料研磨，这消除了由所述识别器引起的非圆形不对称的至少大部分影响

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116325084 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202180069096.5 阿特 ·哈帕林纳　 (22)申请日 2021.10.08

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