一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用.pdfVIP

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  • 2023-06-25 发布于四川
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一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用.pdf

本发明属于电子元器件技术领域,提供了一种基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用。该基于SnS2和In2S3异质结的氨气气体传感器由气敏材料和叉指电极板组成,气敏材料涂覆在叉指电极板表面。气敏材料成分为二硫化锡和三硫化二铟复合形成的纳米材料。本方法生产工艺简单,所得气敏材料对氨气表现出较高的灵敏度和快速的响应恢复。由于传统气体传感器的敏感材料多为金属氧化物,其工作温度过高,不仅增加了能量的消耗,也容易使元件性能降低,缩短使用寿命。本发明能够使气体传感器在室温下工作,这为便携

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116297705 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310204060.4 B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2023.

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