缺陷周围载流子分布的时域GUI演示.pdfVIP

其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》 缺陷周围载流子分布的时域 GUI 演示 陈凤翔;许伟康;汪礼胜 【摘要】半导体材料中的微量缺陷能够在很大程度上影响其光电特性,不同类型的 缺陷造成的影响也不一样.本文以数学物理方法中的差分解法为基础,对半导体物理 中的连续性方程进行离散处理,同时借助 M atlab 中的 GUI 界面作为演示工具,分别 展示了局域光照和均匀全域光照下,点缺陷、线缺陷对半导体中非平衡载流子空间 分布的影响.通过相关参数的选择设置及物理图像的演示,可以让学生了解数学物理 方法的应用,同时在半导体物理课程学习中获得更直观的学习体验. 【期刊名称】《大学物理》 【年(卷),期】2016(035)009 【总页数】7 页(P24-29,65) 【关键词】缺陷;载流子浓度;时域演化;扩散长度 【作者】陈凤翔;许伟康;汪礼胜 【作者单位】武汉理工大学理学院物理科学与技术系,湖北武汉 430070;武汉理工 大学理学院物理科学与技术系,湖北武汉 430070;武汉理工大学理学院物理科学与 技术系,湖北武汉 430070 【正文语种】中 文 【中图分类】O483 在晶体中 ，原子或者是离子、分子在空间周期性重复排列［1 ］，但任何实际晶体 中都会有不完整的地方 ，称为缺陷.缺陷主要分为点缺陷、线缺陷和面缺陷.对于半 老当益壮，宁移白首之心；穷且益坚，不坠青云之志。——唐·王勃 志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟 导体材料而言，极微量的缺陷，也能够对其物理性质和化学性质产生决定性的影响 ［2 ］.晶体缺陷的产生、发展、运动和相互作用、以至于聚集或消失决定性地影响 晶体的基本物理性质［3 ］，尤其在晶体的光电性能研究中扮演了主要角色.大部分 与半导体物理学相关的教材中都给出了光注入后过剩载流子的空间分布模型和公式， 也讨论了其运动模式和影响参数.但若是半导体材料中存在缺陷，缺陷如何对周围 载流子的分布和运动造成影响，相关的理论分析和实验仿真却很少. “数学物理方法”是高年级物理专业以及多数工科专业学生的必修基础理论课程 ， 同时它也是一门被学生广泛反映难度较大的课程 ［4 ］.由于课程具有 “数学与物理 相结合”的特点 ，这门课涉及的数学基础知识面较广 ，又与许多具体的物理问题、 工程技术密切相关，加之近年来教学课时的压缩 ，导致了本课程成为一门公认的难 教、难学的理论课程.学生们在学习时会练习求解相关数学方程的技巧 ，但是在题 目做完、做对之后，却往往不知道自己求解过程的物理图像是什么 ，更不用说将其 推广到其他的物理问题上了，无法体会到该门工具课程的真正实用价值 ［5 ］. 本文利用数学物理方法的差分解法来求解连续性方程 ，讨论缺陷对半导体材料中载 流子运动的影响.借助 Matlab 强大的数值处理能力和 GUI 可视化功能［6-8 ］，分 别演示了在局域光照和均匀全域光照的情况下 ，当载流子扩散和复合运动并存时 ， 缺陷周围的载流子浓度如何随时间演化，并讨论了不同的复合参数及扩散系数等对 载流子空间分布的影响，展示了数学工具与物理学问题的有机结合. 光照可以在半导体内部产生非平衡载流子，称为非平衡载流子的光注入.一般光注 入时 ，注入的非平衡载流子浓度低于平衡时的多数载流子浓度 ，却远高于平衡时的 少数载流子浓度.因此实际上往往是非平衡少数载流子起着重要作用，相对而言非 平衡多数载流子的影响则可以忽略 ，所以通常非平衡载流子都是指非平衡少数载流 子.本文主要讨论 p 型材料中非平衡载流子——电子的分布情况 ，n 型材料可做类 似讨论.光照后，半导体受光面将产生高浓度的光生电子-空穴对，因而沿光照方向 以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得