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IRF7490PbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
High frequency DC-DC converters VDSS RDS(on) max Qg
Lead-Free
100V 39m@VGS=10V 37nC
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
A
Switching Losses 1 8 A
S D
Fully Characterized Capacitance Including 2 7
S D
Effective COSS to Simplify Design, (See
3 6
App. Note AN1001) S D
Fully Characterized Avalanche Voltage G 4 5 D
and Current
SO-8
Top View
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Max. Units
VDS Drain-Source Voltage 100 V
VGS Gate-to-Source Voltage ± 20
I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 5.4
D A GS
I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 4.3
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