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Type
BSC160N10NS3 G
$(*#$%TM3 Power-Transistor
Product Summary
VDS 100 V
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RDS(on),max 16 m#
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ID 42 A
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Type Package Marking
BSC160N10NS3 G PG-TDSON-8 160N10NS
Maximum ratings, at T =25 °C, unless otherwise specified
j
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Continuous drain current I D TC=25 °C 42 A
TC=100 °C 27
T =25 °C,
A
8.
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