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第二章;.data语句;一般形式:
.data datanm pnam1 pnam2….
+ pval1 pval2 pval3….
.enddata
其中:
datanm在.tran .dc或.ac语句设定的数据调用名
pnami 在.param语句中用到的一些参数名(用作电源值,元件值,器件值和模型参数值等)
pvali 参数值;例1
.tran 1n 100n sweep data=devinf
.ac dec 10 1hz 10khz sweep data=devinf
.dc temp -55 125 10 sweep data=devinf
.data devinf width length thresh cap
+ 50u 30u 1.2v 1.2pf
+ 25u 15u 1.0v 0.8pf
+ 5u 2u 0.7v 0.6pf
+… … … …
.enddata;例2
M1 1 2 3 0 n w=50u l=ln
Vgs 2 0 0.0v
Vbs 3 0 vbs
Vds 1 0 vds
.param vds=0 vbs=0 l=1.0u
.dc data=vdot;.MEASURE语句;Fundamental Measurement Modes:
Rise, Fall, and Delay (TRIG-TARG)
AVG, RMS, MIN, MAX, Peak-to-Peak (FROM-TO)
FIND-WHEN;MEASURE Statement
Rise, Fall, and Delay
;MEASURE Statement
AVG, RMS, MIN, MAX, P-P;MEASURE Statement
Find When Function;MEASURE Statement
Application Examples;MEASURE Statement
Application Examples ;MEASURE Statement
Application Examples ;一个例子:缓冲驱动器分析;选用0.35um CMOS工艺level 49模型(tsmc35N.m和tsmc35P.m)
根据模型参数、设计要求设定管子尺寸(NMOS: W=2u L=1u,PMOS: W=2u L=1u)
1. 分析缓冲驱动器的直流传输特性,调整管子的尺寸使vout=vin=2.5v
2. 进行瞬态分析,测量trise(上升时间),tfall(下降时间)。
3. 调整管子的栅极宽度使上升时间=下降时间
4. 利用含参数的子电路组成反相器链,对反相器链进行时序特性分析:测量反相器链的tdelay(延迟)
.SUBCKT INV IN OUT wn=1u wp=1u
Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1u
Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1u
.ENDS
X1 IN 1 INV WN=1U WP=3U
X2 1 out INV WN=1U WP=3U
;5. 试对第一级反相器,调整其栅极宽度或长度以得到反相器链的最小延迟时间。
6. 考查反相器链的驱动能力(利用.DATA语句)
……
.param cload=1pf
……
.data cv
cload
0.5p
1p
2p
.enddata
……
CL OUT 0 cload;
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