【半导体培训资料】1章半导体二极管及其基本电路(精).pptx

第 1 章 半导体二极管及其基本电路1.1　半导体的基础知识1.2　半导体二极管1.3　二极管电路的分析方法1. 5　特殊二极管　小　结1.4 半导体二极管的应用 1.1　半导体的基础知识1.1.1　本征半导体1.1.2　杂质半导体1.1.3　PN结 半导体的特点1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关 利用该特性可做成热敏电阻2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系 利用该特性可做成光敏电阻3.掺杂性：掺入有用的杂质可以改变半导体的导电能力 利用该特性可做成半导体器件 1.1.1 本征半导体半导体 —导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 —纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 硅(锗)的原子结构简化模型惯性核价电子(束缚电子)1、半导体的原子结构 2、本征半导体的晶体结构硅(锗)的共价键结构共价键 —相邻原子共有价电子所形成的束缚。 3、本征半导体的导电情况自由电子空穴空穴空穴可在共价键内移动当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴) 本征激发：复 合：　　自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂 移：　　自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。　　在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。载流子 ：　　自由运动的带电粒子 两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动 结论：1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 1.1.2 杂质半导体一、N 型半导体N 型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数 ? 电子数 二、 P 型半导体P 型+3+4+4+4+4+4硼原子空穴空穴 — 多子电子 — 少子载流子数 ? 空穴数 三、杂质半导体的导电作用IIPINI = IP + INN 型半导体 I ? INP 型半导体 I ? IP 四、P 型、N 型半导体的简化图示负离子多数载流子少数载流子正离子多数载流子少数载流子P 型：N 型： 1.1.3 PN 结一、PN 结(PN Junction)的形成1. 载流子的浓度差引起多子的扩散2. 复合使交界面形成空间电荷区产生了一个内电场，电场的作用是阻碍多子的扩散促进少子产生漂移内建电场此时产生了两种电流：扩散电流和漂移电流 3. 继续扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。二、PN 结的单向导电性 1）. 外加正向电压(正向偏置)— forward bias此时形成的空间电荷区域称为PN结（耗尽层）1.定性分析 P 区N 区内电场外电场外电场使多子向 PN 结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF限流电阻扩散运动加强形成正向电流 IF 。IF = I多子 ? I少子 ? I多子2）. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区N 区内电场外电场外电场使多子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流 IRIR = I少子 ? 0 2、定量估算反向饱和电流温度的电压当量当 T = 300(27?C)：UT = 26 mV加正向电压时加反向电压时i≈–IS电子电量玻尔兹曼常数 3、伏安特性Ou /VI /mA反向击穿正向特性 1.2　半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构和类型1.2.2 二极管的伏安特性1.2.3 二极管的主要参数 1.2.1 半导体二极管的结构和类型构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)符号：A(anode)C(cathode)分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型 点接触型正极引线触丝N 型锗片外壳负极引线负极引线 面接触型N型锗PN 结 正极引线铝合金小球底座金锑合金正极引线负极引线集成电路中平面型PNP 型支持衬底 1.2.2 二极管的伏安特性一、PN 结的伏安方程反向饱和电流温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数当 T = 300(27?C)：UT = 26 mV 二、二极管的伏安特性OuD /ViD /mA正向特性Uth死区电压iD = 0Uth