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本公开内容涉及利用抗蚀刻帽盖层为硅锗层形成金属接触部。在硅锗(SiGe)源极/漏极区域上形成帽盖层，以提供对半导体制造过程中发生在SiGe源极/漏极区域形成与金属接触部形成之间的的处理步骤的抗蚀刻性。帽盖层包括硼，并且具有薄厚度(例如，2nm或更小)，以提供低金属接触电阻。第二层中的硼的原子浓度处于大约0.2‑20％的范围内。除了提供抗蚀刻性之外，帽盖层还提供热稳定的接触电阻，因为帽盖层可以通过防止或者限制在后续的退火和其他高温处理步骤中锗从SiGe层向金属中扩散而防止或者限制在SiGe层中形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344599 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202211456148.7 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2022.11.
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