包括反向P-N结的半导体激光二极管.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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包括反向P-N结的半导体激光二极管.pdf

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本申请涉及包括反向P‑N结的半导体激光二极管。边缘发射GaAs基半导体激光器将隧道结与反向p‑n结相结合使用来解决与使用高铝含量p型包覆层布置相关联的氧化问题。特别地，在n型GaAs基底上形成隧道结，其中在隧道结之上形成p型包覆层和波导层。此后在有源区的顶部上生长N型波导层和包覆层。由于p型层定位在有源区下方，并且在处理期间不暴露于空气，因此可以使用相对高的铝含量，这改进了器件的热和电特性。由于n型材料不需要高的铝含量，因此它可以被进一步处理以形成脊结构，而不会引入该结构的任何实质性氧化。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116345308 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202211485563.5 H01S 5/20 (2006.01)