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具有环形形貌的碳化硅晶体及其制备方法和制得的衬底.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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具有环形形貌的碳化硅晶体及其制备方法和制得的衬底.pdf

    本申请公开了一种具有环形形貌的碳化硅晶体及其制备方法、加工方法和制得的衬底。该碳化硅晶体具有相对的第一主表面和第二主表面，所述碳化硅晶体具有一个靠近所述碳化硅晶体外周侧的环形形貌，所述环形形貌自第一主表面贯穿延伸至第二主表面，所述环形形貌包括刃位错；所述环形形貌内围绕的区域形成目标碳化硅晶体，所述环形形貌外的原子台阶宽度小于所述环形形貌内的原子台阶宽度。本申请发现一种新型环形形貌，并利用该形成的环形形貌的原子台阶宽度的变化规律，准确切割去掉低质量的碳化硅晶体部分，解决了无法准确去边，去边废料率高

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113652750 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110950669.7 (51)Int.Cl.

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