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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明公开了一种提高HastelloyN合金低ΣCSL晶界比例的工艺方法，将HastelloyN合金冷轧加工30‑70％，然后在1020‑1200℃退火5‑60min，以水淬的方式快速冷却至室温。而后在垂直原冷轧方向进行30‑70％的冷轧加工，在相同的温度退火同样的时间后水淬至室温。然后再对样品进行3‑15％的冷加工变形，在1020‑1200℃退火3‑120min并水淬快速冷却至室温。可得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例高于70％的HastelloyN合金。本工艺不仅不需改变合金成分，而且与现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113667913 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202110651912.5 审查员 张涛
(22)申请日 2021.06.11
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