2023年CB619300全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用.docx

工程名称： 全组分可调 III 族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用 首席科学家： 起止年限： 依托部门： 沈波 北京大学 2023.1-2023.8 教育部 中国科学院 一、关键科学问题及争论内容 关键科学问题及其科学内涵： 依据本工程涉及的高Al组分AlGaN，高In组分InGaN，及GaN、AlN同质外延衬底材料等III族氮化物半导体材料及其低维量子构造的共性特点， 拟解决的关键科学问题凝练、归纳为： 1、非平衡条件下全组分可调氮化物半导体的外延生长动力学与缺陷掌握 由于 InN、GaN、AlN 晶格常数的较大差异，三者化学性质的明显差异导致 高 Al 组分 AlGaN、高In 组分 InGaN 材料的制备均为非平衡条件下的外延生长， 生长窗口狭小，难以生长出大面积、高质量的外延薄膜。而迄今制备 GaN 和 AlN 自支撑厚膜衬底材料的主流方法--HVPE 法是典型的非平衡态生长。非平衡条件下全组分可调 III 族氮化物半导体及其低维量子构造的外延生长存在一系列尚未认知的颖和简单特性，其缺陷掌握规律也有待深入争论和把握。 2、全组分可调氮化物半导体中的应力掌握和极化调控 AlGaN 基、InGaN 基半导体低维构造材料均为大失配应变体系，同时亦为具有很大自发极化和压电极化系数的强极化体系，其制备过程中应力的掌握不仅打算外延材料的质量和缺陷密度，而且直接调控材料中的极化感应电场和能带弯曲，从而影响材料和器件的宏观光电性能。另一方面，极化行为不仅可以调控AlGaN 基、InGaN 基低维构造材料的光学、电学性质，而且极化方向及其强弱亦会对材料的外延生长，特别是生长过程中的原子迁移和键合产生重要影响。而在 GaN 和 AlN 自支撑厚膜衬底的生长过程中，应力、包括热应力的掌握和释放规律是其最核心的问题，是打算材料生长成败和材料质量的最主要因素。 3、高 Al、高 In 组分氮化物半导体中的杂质行为调控和 p 型掺杂 半导体材料的 p 型掺杂是实现其器件功能的根本环节。在 AlGaN 外延材料中，由于 p 型掺杂原子离化能随 Al 组分不断提高，导致高 Al 组分 AlGaN 材料p 型杂质的困难。而在高 In 组分 InGaN 和 InN 外延材料中，存在高达 1018 cm-3 以上的背景电子浓度，在其近外表区域还始终存在高电子浓度的外表电荷层，从而严峻影响其 p 型掺杂和检测。另外，AlGaN 和 InGaN 材料中的 p 型杂质还与其他杂质原子和缺陷存在简单的相互作用，极化电场也对 p 型掺杂存在明显的作 用。因此，争论降低背景杂质的补偿行为和实际离化能、探究的可控 p 型掺杂方法，是实现 AlGaN 基和 InGaN 基材料器件应用的关键问题。 4、高导带阶跃、强极化半导体量子构造中电子、光子的运动规律和性能调 控 作为典型的高导带阶跃、强极化半导体量子构造体系，AlGaN 基和 InGaN 基低维构造中电子、光子的运动及其调控有其特别的规律，如高Al 组分 AlGaN 存在价带分裂的反转，对光子沿材料 c 轴方向的出光产生致命的影响。强极化电场对电子的复合、输运、自旋等性质有重要影响。对 AlGaN 基和 InGaN 基低维量子构造材料中电子、光子运动规律的生疏和有效调控，特别是对电子、光子运动规律与特定材料构造内在关联的生疏，不仅对丰富和进展宽禁带半导体物理学具有重要意义，而且是实现其器件应用的科学根底。 主要争论内容： 依据有限目标，突出重点的原则，本工程围绕上述关键科学问题，选择以下 4 个方面作为主要争论内容： 1、AlGaN 基紫外(UV)发光、探测材料及其器件应用 争论非平衡条件下 AlGaN 基薄膜及其低维量子构造的外延生长动力学，探究 MOCVD 外延生长过程中增加 III 族原子外表迁移的生长模式和掌握规律；承受Mg 和Si 杂质构造不同内建电场的掺杂量子阱构造，运用极化效应调制 AlGaN 基超晶格构造中的p 型掺杂；设计和制备具有极化和能带调控功能的型 AlGaN 基量子构造，调整光学各向异性；实现具有肯定有用性能的 AlGaN 基 UV 发光器件和超高速、高灵敏的 AlGaN 基日盲雪崩 UV 探测器件；设计和制备基于 ISBT 原理的 AlGaN 基多量子阱构造，探究AlGaN 基紫外、红外双色探测单片集成实现途径。 2、全组分可调 InGaN 基全光谱光伏材料及其器件应用 争论高 In 组分 InGaN 大失配异质外延的生长动力学规律，探究抑制其相分别的有效途径；利用 InN 超薄层调控技术，探究基于 InN/GaN 短周期超晶格构造的 InGaN 数字合金(digital alloys)的外延生长规律；争论载流子与杂质缺陷的相互作用及其调控，查找降低 InGaN 和 InN 外延薄