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- 2023-06-28 发布于四川
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TFT基板的制造方法是源极电极(7S)和漏极电极(7D)各自包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的TFT基板(101A)的制造方法。TFT基板的制造方法包含：将第1抗蚀剂层(81)作为蚀刻掩模对上部导电膜(S2’)进行蚀刻，从而形成上部源极金属层的工序；对下部导电膜(S1’)进行蚀刻，从而形成下部源极金属层的工序；将第1抗蚀剂层除去，以覆盖上部源极金属层的方式形成第2抗蚀剂层(82)的工序；以及将第2抗蚀剂层作为蚀刻掩模，通过干式蚀刻对接触层(6)进行蚀刻，从而形成源极接触部(6S
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110914960 A
(43)申请公布日
2020.03.24
(21)申请号 20188
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