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氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法.pdf

    氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；以及多量子阱层，其是将由具有比第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成的势垒层(52a、52b、52c)与具有比上述第二Al组分比小的Al组分比的多个阱层(54a、54b、54c)按此顺序交替地各层叠N层而成的，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，上述多量子阱层的上述多个势垒层(52a、52b、52c)的第二Al组分比从n型包覆层(30)侧朝向n型包覆层(30)的相反侧按规定的增加率增加。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111095579 A (43)申请公布日 2020.05.01 (21)申请号 20188

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