原创力文档- 3
- 0
- 约1.24万字
- 约 12页
- 2023-06-28 发布于四川
- 举报
本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。其中，半导体结构包括：衬底；和叠置在衬底上的多个功能膜层，多个功能膜层包括叠置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层位于衬底和第二半导体层之间，第一半导体层包括多个朝向衬底凹陷的缺陷坑，缺陷坑被第二半导体层填充，第二半导体层远离第一半导体层的一侧为平面。本申请提供的半导体结构及其制备方法解决了现有技术中的半导体结构存在垂直漏电的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344598 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111594707.6 H01L 21/329 (2006.01)
文档评论（0）