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本公开涉及一种电气过应力检测装置。所公开的技术总体涉及电气过应力保护装置，更具体地涉及用于检测半导体装置中的电气过应力事件的电气过应力监测装置。在一个方面，被配置为监测电气过应力(EOS)事件的装置包括一对间隔的导电结构，所述导电结构被配置为响应于EOS事件而电气地起弧，其中间隔的导电结构由一材料形成并且具有一形状，使得起弧导致间隔的导电结构的形状的可检测变化，并且其中该装置被配置为使得间隔的导电结构的形状变化是可检测的，以用作EOS监测器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113687205 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110967517.8 (51)Int.Cl.
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