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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器包括:衬底;在衬底上依次生长的N接触层、N‑DBR层、MQW层、氧化层、P‑DBR层、P接触层;以及N电极、P电极和SiN钝化层;N电极设在N接触层上,P电极设在P接触层上,SiN钝化层覆盖垂直腔面发射激光器的至少部分表面上;其中,衬底上具有多个通孔,衬底的背面具有覆盖通孔的金属层,金属层的下表面形成有金属凸点;通孔内设有金属柱,金属凸点通过金属柱连接至N电极和P电极。该垂直腔面发射激光器采用衬底背面同侧电极设计,可直接在硅基材料表面进行焊
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113690730 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202110784150.6 (51)Int.Cl.
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