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CIS传感器及形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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CIS传感器及形成方法.pdf

    本发明公开了一种CIS传感器及形成方法，所述的CIS传感器形成于半导体衬底上，由多个独立的光学传感器单元形成的阵列构成；所述的光学传感器单元，在所述半导体衬底中形成光电转换单元；介质层中刻蚀形成接触孔将光电转换单元电极引出；介质层中各个光学传感器单元之间还具有金属屏蔽侧墙，将所述的各个光学传感器隔离，形成各自独立互不影响的光路空间；所述介质层顶部具有阵列形的突起，形成各个光学传感器单元的微透镜。本发明通过金属隔离侧墙结构，阻挡大角度入射光对相邻传感器单元的影响，使相邻传感器单元的光路实现独立互不

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364736 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310281609.X (22)申请日 2023.03.21 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址

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