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一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括待刻蚀层；在待刻蚀层上形成水溶性材料层；在水溶性材料层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层中形成暴露待刻蚀区域的窗口，在显影的过程，显影液通过窗口溶解水溶性材料层的边缘，以在光刻胶层下方形成底切区；以图案化的光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行干法刻蚀，干法刻蚀的刻蚀气体与待刻蚀层反应形成附着在光刻胶层和待刻蚀层侧壁的聚合物层；使用湿法去胶工艺去除所述光刻胶层、所述水溶性材料层和所述聚合物层。根据本发明所提供
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116366015 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202111618331.8
(22)申请日 2021.12.27
(71)申请人 中芯集成电路（宁波）有限公司
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