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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    提供了半导体器件及其形成方法。方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方沉积二维(2D)材料层；形成电连接至半导体结构与二维材料层的源极部件与漏极部件，其中源极部件与漏极部件包括半导体材料；以及在二维材料层上方形成栅极结构，并且栅极结构介于源极部件与漏极部件之间。栅极结构、源极部件、漏极部件、半导体结构和二维材料层配置为形成场效应晶体管。半导体结构和二维材料层分别用作源极部件和漏极部件之间的第一沟道和第二沟道。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707605 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110901625.5 H01L 27/088 (2006.01) (22)申请日

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